APT34N80B2C3Gの技術仕様
Microchip Technology - APT34N80B2C3G技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT34N80B2C3G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.9V @ 2mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 145mOhm @ 22A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 417W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4510 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 355 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 34A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT34N80 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT34N80B2C3Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT34N80B2C3G | APT34F60B | APT34F100L | APT34F100B2 |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 基本製品番号 | APT34N80 | APT34F60 | APT34F100 | APT34F100 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 355 nC @ 10 V | 165 nC @ 10 V | 305 nC @ 10 V | 305 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電力消費（最大） | 417W (Tc) | 624W (Tc) | 1135W (Tc) | 1135W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 Variant |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | 600 V | 1000 V | 1000 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4510 pF @ 25 V | 6640 pF @ 25 V | 9835 pF @ 25 V | 9835 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.9V @ 2mA | 5V @ 1mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 145mOhm @ 22A, 10V | 210mOhm @ 17A, 10V | 400mOhm @ 18A, 10V | 380mOhm @ 18A, 10V |
| シリーズ | - | - | - | POWER MOS 8™ |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] | TO-247 [B] | TO-264 [L] | T-MAX™ [B2] |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 34A (Tc) | 36A (Tc) | 35A (Tc) | 35A (Tc) |
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APT33GF120BRGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 52A 297W TO247
APT35GP120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOPAPT35GP120JDQ2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOPAPT34F60BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 36A TO247APT33GF120B2RDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 64A 357W TMAXAPT35GT120JU2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227APT34F100LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 35A TO264APT34F100B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 35A T-MAXAPT35GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 96A 543W TMAXAPT35GN120BGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 94A 379W TO247
APT34M120JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 35A SOT227
APT35GP120JDF2MicrosemiIGBT ModuleAPT34N80LC3GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 34A TO264APT34M60BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 36A TO247APT33GF120B2RDGAPTAPT33GF120LRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 64A 357W TO264APT35GT120JU3Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 55A 260W SOT227APT35GP120BGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 96A 543W TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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