APT34M60Bの技術仕様
Microchip Technology - APT34M60B技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT34M60B仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] | |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190mOhm @ 17A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 624W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6640 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 165 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT34M60 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT34M60Bと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT34M60B | APT34M120J | APT34F100B2 | APT34N80B2C3G |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 1200 V | 1000 V | 800 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 165 nC @ 10 V | 560 nC @ 10 V | 305 nC @ 10 V | 355 nC @ 10 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] | SOT-227 | T-MAX™ [B2] | T-MAX™ [B2] |
| 基本製品番号 | APT34M60 | APT34M120 | APT34F100 | APT34N80 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 5V @ 2.5mA | 5V @ 2.5mA | 3.9V @ 2mA |
| 装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 36A (Tc) | 35A (Tc) | 35A (Tc) | 34A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | - | POWER MOS 8™ | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 6640 pF @ 25 V | 18200 pF @ 25 V | 9835 pF @ 25 V | 4510 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 624W (Tc) | 960W (Tc) | 1135W (Tc) | 417W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 Variant | TO-247-3 Variant |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 190mOhm @ 17A, 10V | 300mOhm @ 25A, 10V | 380mOhm @ 18A, 10V | 145mOhm @ 22A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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APT35GP120JDQ2Microchip TechnologyIGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOPAPT35GP120JDXAPTIGBT ModuleAPT35GP120JMicrochip TechnologyIGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOPAPT33GF120B2RDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 64A 357W TMAXAPT35GN120BGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 94A 379W TO247
APT35GP120JDF2MicrosemiIGBT ModuleAPT35GP120B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 96A 543W TMAXAPT34M120J-LOT6APTIGBT ModuleAPT34M120JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1200V 35A SOT227APT35GP120BGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 96A 543W TO247APT33GF120LRDQ2GMicrochip TechnologyIGBT 1200V 64A 357W TO264APT34F100B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 35A T-MAXAPT34N80B2C3GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 34A T-MAXAPT34N80LC3GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 800V 34A TO264APT33GF120B2RDGAPTAPT34F60BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 36A TO247APT34F100LMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 35A TO264APT33GF120BRGMicrochip TechnologyIGBT 1200V 52A 297W TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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