APT106N60LC6の技術仕様
Microchip Technology - APT106N60LC6技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT106N60LC6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 3.4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 (L) | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 53A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 833W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8390 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 308 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 106A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT106 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT106N60LC6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT106N60LC6 | APT10M11JVRU2 | APT10M11JVFR | APT10M11JVR |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microsemi Corporation |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 3.4mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | - | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 106A (Tc) | 142A (Tc) | 144A (Tc) | 144A (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 (L) | SOT-227 | ISOTOP® | ISOTOP® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8390 pF @ 25 V | 8600 pF @ 25 V | 10380 pF @ 25 V | 10300 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 833W (Tc) | 450W (Tc) | - | 450W (Tc) |
| 基本製品番号 | APT106 | APT10M11 | APT10M11 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 35mOhm @ 53A, 10V | 11mOhm @ 71A, 10V | 11mOhm @ 500mA, 10V | - |
| シリーズ | CoolMOS™ | - | POWER MOS V® | POWER MOS V® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 308 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
APT106N60LC6 - Microchip TechnologyのAPT106N60LC6 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT10M11JVRU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227APT10M11JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP
APT100GT60JRMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOPAPT100S20LCTGMicrochip TechnologyDIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264APT10M07APTIGBT ModuleAPT10M11JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 144A ISOTOPAPT10M07JVFRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT100S20BGMicrochip TechnologyDIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247APT100GT120JRDLAPTIGBT Module
APT100S20BMicrosemiAPT10M09JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT10M07JVRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 100V 225A ISOTOPAPT106N60B2C6Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 106A T-MAXAPT10DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A SOT227APT105-R95MOGAPTAPT10M11JVRU3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 100V 142A SOT227APT100M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 103A SOT227APT100GT60JRDQ4Microchip TechnologyIGBT MOD 600V 148A 500W ISOTOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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