APT106N60B2C6の技術仕様
Microchip Technology - APT106N60B2C6技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT106N60B2C6仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Microchip Technology | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 3.4mA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] | |
シリーズ | CoolMOS™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 35mOhm @ 53A, 10V | |
電力消費(最大) | 833W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8390 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 308 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 106A (Tc) | |
基本製品番号 | APT106 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT106N60B2C6と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | APT106N60B2C6 | APT10M07JVFR | APT106N60LC6 | APT100M50J |
メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 106A (Tc) | 225A (Tc) | 106A (Tc) | 103A (Tc) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 308 nC @ 10 V | 1050 nC @ 10 V | 308 nC @ 10 V | 620 nC @ 10 V |
Vgs(最大) | ±20V | - | ±20V | ±30V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 35mOhm @ 53A, 10V | 7mOhm @ 500mA, 10V | 35mOhm @ 53A, 10V | 38mOhm @ 75A, 10V |
パッケージ/ケース | TO-247-3 Variant | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600 V | 100 V | 600 V | 500 V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 3.4mA | 4V @ 5mA | 3.5V @ 3.4mA | 5V @ 5mA |
シリーズ | CoolMOS™ | POWER MOS V® | CoolMOS™ | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 8390 pF @ 25 V | 21600 pF @ 25 V | 8390 pF @ 25 V | 24600 pF @ 25 V |
サプライヤデバイスパッケージ | T-MAX™ [B2] | ISOTOP® | TO-264 (L) | SOT-227 |
電力消費(最大) | 833W (Tc) | - | 833W (Tc) | 960W (Tc) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V | - | 10V | 10V |
基本製品番号 | APT106 | APT10M07 | APT106 | APT100 |
パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
FET特長 | - | - | - | - |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
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一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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