CSD88539NDの技術仕様
Texas Instruments - CSD88539ND技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD88539ND仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2.1W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 741pF @ 30V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.4nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | CSD88539 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD88539NDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD88539ND | CSD88599Q5DCT | CSD88584Q5DCT | CSD88537ND |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 電力 - 最大 | 2.1W | 12W | 12W | 2.1W |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 28mOhm @ 5A, 10V | 2.1mOhm @ 30A, 10V | 0.95mOhm @ 30A, 10V | 15mOhm @ 8A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | CSD88539 | CSD88599Q5 | CSD88584Q5 | CSD88537 |
| シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A | - | - | 15A |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 22-PowerTFDFN | 22-PowerTFDFN | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 22-VSON-CLIP (5x6) | 22-VSON-CLIP (5x6) | 8-SOIC |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.6V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 3.6V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 60V | 40V | 60V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 9.4nC @ 10V | 27nC @ 4.5V | 88nC @ 4.5V | 18nC @ 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 741pF @ 30V | 4840pF @ 30V | 12400pF @ 20V | 1400pF @ 30V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual) |
CSD88599Q5DCTTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIPCSD95372BQ5MCTTexas InstrumentsIC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSONCSD88584Q5DCTTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 40V 22-VSON-CLIPCSD88537NDTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOICCSD88539NDTTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOICCSD88539NDRTexas InstrumentsCSD87588NTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTABCSD88537ND MOSTexas InstrumentsCSD88584Q5DCTexas InstrumentsMOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIPCSD88537NDTTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOICCSD87503Q3ETexas InstrumentsMOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SONCSD95372BQ5MTexas InstrumentsIC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSONCSD87502Q2Texas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSONCSD95372AQ5MTexas InstrumentsIC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSONCSD87502Q2TTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 5A 6WSONCSD95372BQ5MCTexas InstrumentsIC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSONCSD88599Q5DCTexas InstrumentsMOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIPCSD87588NTTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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