RYM002N05T2CLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RYM002N05T2CL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RYM002N05T2CL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 800mV @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | VMT3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SOT-723 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 26 pF @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0.9V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | |
| 基本製品番号 | RYM002 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RYM002N05T2CLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RYM002N05T2CL | FCH125N60E | STY34NB50 | IPD110N12N3GATMA1 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | Fairchild Semiconductor | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 基本製品番号 | RYM002 | - | STY34N | IPD110 |
| サプライヤデバイスパッケージ | VMT3 | TO-247 | MAX247™ | PG-TO252-3 |
| 電力消費（最大） | 150mW (Ta) | 278W (Tc) | 450W (Tc) | 136W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 50 V | 600 V | 500 V | 120 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200mA (Ta) | 29A (Tc) | 34A (Tc) | 75A (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | 125mOhm @ 14.5A, 10V | 130mOhm @ 17A, 10V | 11mOhm @ 75A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 800mV @ 1mA | 3.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 3V @ 83µA (Typ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0.9V, 4.5V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | SOT-723 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 26 pF @ 10 V | 2990 pF @ 380 V | 9100 pF @ 25 V | 4310 pF @ 60 V |
| Vgs（最大） | ±8V | ±20V | ±30V | ±20V |
| シリーズ | - | SuperFET® II | PowerMESH™ | OptiMOS™ |
RYM002N05T2CL - Rohm SemiconductorのRYM002N05T2CL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
FCH125N60EFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 29A TO247-3STY34NB50STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 34A MAX247
RYM002N05GT2CL MOSLAPIS TechnologyIPD110N12N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 120V 75A TO252-3RYM002N05 T2LLAPIS TechnologyRYM002N05 T2CLLAPIS Technology
FDU6680onsemiMOSFET N-CH 30V 12A/46A IPAK
IRF7811WTRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPB065N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
CSD25304W1015Texas InstrumentsMOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
IXFN170N10IXYSMOSFET N-CH 100V 170A SOT-227BNTMFS0D7N03CGT1GonsemiMOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFNFDMC8010DConsemiMOSFET N-CH 30V 37A 8PQFNRYM002N05MSV
BSS84PWInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
IRC634PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5
C2M0280120DWolfspeed, Inc.SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3SIR618DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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