IXFN170N10の技術仕様
IXYS - IXFN170N10技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN170N10仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10300 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 515 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 170A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN170 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN170N10と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN170N10 | IXFN180N25T | IXFN150N10 | IXFN180N20 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10300 pF @ 25 V | 28000 pF @ 25 V | 9000 pF @ 25 V | 22000 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | IXFN170 | IXFN180 | IXFN150 | IXFN180 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 10mOhm @ 500mA, 10V | 12.9mOhm @ 60A, 10V | 12mOhm @ 75A, 10V | 10mOhm @ 500mA, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 250 V | 100 V | 200 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 515 nC @ 10 V | 345 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V | 660 nC @ 10 V |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Trench | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | 900W (Tc) | 520W (Tc) | 700W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 170A (Tc) | 168A (Tc) | 150A (Tc) | 180A (Tc) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA | 5V @ 8mA | 4V @ 8mA | 4V @ 8mA |
IXFN170N10 - IXYSのIXFN170N10 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN180N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 168A SOT227BIXFN150N10IXYSMOSFET N-CH 100V 150A SOT-227IXFN180N06IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN1754IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN180N20IXYSMOSFET N-CH 200V 180A SOT-227BIXFN170N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 138A SOT-227BIXFN180N15IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN140N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227BIXFN15N100IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN1701IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN180N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A SOT-227BIXFN170N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 170A SOT227BIXFN150N15IXYSMOSFET N-CH 150V 150A SOT227BIXFN1680IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN160N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 130A SOT227BIXFN140N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 115A SOT227BIXFN180N10IXYSMOSFET N-CH 100V 180A SOT-227BIXFN180N07IXYSMOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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