RCJ330N25TLの技術仕様
Rohm Semiconductor - RCJ330N25TL技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RCJ330N25TL仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | LPTS | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 105mOhm @ 16.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.56W (Ta), 40W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | |
| 基本製品番号 | RCJ330 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RCJ330N25TLと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RCJ330N25TL | FDMC610P | DMN2044UCB4-7 | SI4490DY-T1-E3 |
| メーカー | Rohm Semiconductor | onsemi | Diodes Incorporated | Vishay Siliconix |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | - | PowerTrench® | - | TrenchFET® |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | LPTS | Power33 | U-WLB1010-4 | 8-SOIC |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | 1250 pF @ 6 V | 1400 pF @ 10 V | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 1V @ 250µA | 900mV @ 250µA | 2V @ 250µA (Min) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 33A (Tc) | 80A (Tc) | 3.3A (Ta) | 2.85A (Ta) |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | RCJ330 | FDMC610 | DMN2044 | SI4490 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 2.5V, 4.5V | 1.5V, 4.5V | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | 12 V | 20 V | 200 V |
| 電力消費（最大） | 1.56W (Ta), 40W (Tc) | 2.4W (Ta), 48W (Tc) | 720mW | 1.56W (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 10 V | 99 nC @ 4.5 V | 47 nC @ 8 V | 42 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-PowerTDFN | 4-UFBGA, WLBGA | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 105mOhm @ 16.5A, 10V | 3.9mOhm @ 22A, 4.5V | 40mOhm @ 1.5A, 4.5V | 80mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±8V | ±8V | ±20V |
RCJ330N25TL - Rohm SemiconductorのRCJ330N25TL PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
FDMC610PonsemiMOSFET P-CH 12V 80A POWER33DMN2044UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4SI4490DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
IXFT88N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A TO268
RCJ200N20FU7TLLAPIS TechnologyRCJ450N20LAPIS TechnologyRCJ330N25 TLLAPIS TechnologyNVTFS5811NLWFTWGonsemiMOSFET N-CH 40V 16A 8WDFNRCJ300N20LAPIS TechnologyRCJ450N20TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 45A LPTSRCJ450N20 MOSLAPIS TechnologyRCJ220N25FU7TLLAPIS TechnologyRCJ700N20LAPIS TechnologyRCJ450N20 TLLAPIS Technology
BUK7M12-40EXNexperia USA Inc.MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33RCJ200N20TLRohm SemiconductorMOSFET N-CH 200V 20A LPTSRCJ450N20-TLLAPIS Technology
SIA433EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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