画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
VKM60-01P1 - IXYS
- メーカー 部品型番
- VKM60-01P1
- メーカー
- IXYS Corporation
- Allelco 部品型番
- 32D-VKM60-01P1
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
- 詳細な説明
- パッケージ
- ECO-PAC2
- データシート
VKM60-01P1.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 544
VKM60-01P1の技術仕様
IXYS - VKM60-01P1技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - VKM60-01P1仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ECO-PAC2 | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力 - 最大 | 300W | |
| パッケージ/ケース | ECO-PAC2 | |
| パッケージ | Box |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 260nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A | |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) | |
| 基本製品番号 | VKM60 |
右側の三つのパーツはIXYS VKM60-01P1と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | VKM60-01P1 | FDMS3604S | VKM40-06P1 | AO4852 |
| メーカー | IXYS | Fairchild Semiconductor | IXYS | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Chassis Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500pF @ 25V | 1785pF @ 15V | - | 450pF @ 30V |
| 電力 - 最大 | 300W | 1W | - | 1.4W |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 4mA | 2.7V @ 250µA | 5.5V @ 3mA | 2.6V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | ECO-PAC2 | 8-PQFN (5x6) | ECO-PAC2 | 8-SOIC |
| パッケージ | Box | Bulk | Box | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A | 13A, 23A | 38A | 3A |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 260nC @ 10V | 29nC @ 10V | 220nC @ 10V | 9.2nC @ 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 30V | 600V | 60V |
| シリーズ | HiPerFET™ | PowerTrench® | - | - |
| 基本製品番号 | VKM60 | FDMS3604 | VHM40 | AO485 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 25mOhm @ 500mA, 10V | 8mOhm @ 13A, 10V | 70mOhm @ 25A, 10V | 90mOhm @ 3A, 10V |
| パッケージ/ケース | ECO-PAC2 | 8-PowerTDFN | ECO-PAC2 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 4 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual) |
FDMS3604SFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1VKM40-06P1IXYSMOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2VKM40-06IO1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleAO4852Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC
IRF7325TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
SI4941EDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC
SI3590DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8SI3951DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOPRF1K49092Fairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFET
SLA5086Sanken Electric USA Inc.MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
DMPH6050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
NTMC1300R2onsemiMOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
BUK9K13-40HXNexperia USA Inc.BUK9K13-40H - DUAL N-CHANNEL 40SQJB42EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8VKM40-06IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIRF7342QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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