IXTY26P10Tの技術仕様
IXYS - IXTY26P10T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTY26P10T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±15V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | TrenchP™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 13A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3820 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTY26 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTY26P10Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTY26P10T | IXTY08N50D2 | IXTY01N100 | IXTY02N120P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| シリーズ | TrenchP™ | Depletion | - | Polar |
| FET特長 | - | Depletion Mode | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3820 pF @ 25 V | 312 pF @ 25 V | 54 pF @ 25 V | 104 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | - | 4.5V @ 25µA | 4V @ 100µA |
| 基本製品番号 | IXTY26 | IXTY08 | IXTY01 | IXTY02 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 500 V | 1000 V | 1200 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 10V | 10V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 電力消費（最大） | 150W (Tc) | 60W (Tc) | 25W (Tc) | 33W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 52 nC @ 10 V | 12.7 nC @ 5 V | 6.9 nC @ 10 V | 4.7 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) | 800mA (Tc) | 100mA (Tc) | 200mA (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±15V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 13A, 10V | 4.6Ohm @ 400mA, 0V | 80Ohm @ 100mA, 10V | 75Ohm @ 500mA, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
IXTY26P10T - IXYSのIXTY26P10T PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTY08N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 800MA TO252IXTY01N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AAIXTY02N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 200MA TO252IXTY01N100DIXYSMOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AAIXTY32P05TIXYSMOSFET P-CH 50V 32A TO252IXTY64N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 64A TO252
IXTY90N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 90A TO252IXTY1R6N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
IXTX8N150LIXYSMOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3IXTY44N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 44A TO252IXTY1R4N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 1.4A TO252IXTY3N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 3A TO252IXTY02N120P-TRLIXYSMOSFET N-CH 1200V 200MA TO252IXTY12N06TIXYSMOSFET N-CH 60V 12A TO252IXTY08N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 800MA TO252IXTY48P05TIXYSMOSFET P-CH 50V 48A TO252IXTY1N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 1A TO252IXTY1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 1.6A TO252| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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