IXTY08N100D2の技術仕様
IXYS - IXTY08N100D2技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTY08N100D2仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | Depletion | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 21Ohm @ 400mA, 0V | |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 325 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Depletion Mode | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 800mA (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTY08 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTY08N100D2と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTY08N100D2 | IXTY02N120P-TRL | IXTY26P10T | IXTY1R4N60P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| シリーズ | Depletion | Polar | TrenchP™ | PolarHV™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 21Ohm @ 400mA, 0V | 75Ohm @ 100mA, 10V | 90mOhm @ 13A, 10V | 9Ohm @ 700mA, 10V |
| FET特長 | Depletion Mode | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | - | 10V | 10V | 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 800mA (Tc) | 200mA (Tc) | 26A (Tc) | 1.4A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | 4V @ 100µA | 4.5V @ 250µA | 5.5V @ 25µA |
| 電力消費（最大） | 60W (Tc) | 33W (Tc) | 150W (Tc) | 50W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 1200 V | 100 V | 600 V |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.6 nC @ 5 V | 4.7 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 5.2 nC @ 10 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 325 pF @ 25 V | 104 pF @ 25 V | 3820 pF @ 25 V | 140 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | IXTY08 | IXTY02 | IXTY26 | IXTY1 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±15V | ±30V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
IXTY08N100D2 - IXYSのIXTY08N100D2 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTY02N120P-TRLIXYSMOSFET N-CH 1200V 200MA TO252IXTY26P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 26A TO252IXTY1R4N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 1.4A TO252IXTY02N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 200MA TO252IXTY12N06TIXYSMOSFET N-CH 60V 12A TO252IXTY32P05TIXYSMOSFET P-CH 50V 32A TO252IXTY1N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 1A TO252
IXTX46N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 46A PLUS247-3IXTY1R6N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 1.6A TO252IXTY1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 1.6A TO252IXTX8N150LIXYSMOSFET N-CH 1500V 8A PLUS247-3
IXTX4N300P3HVIXYSMOSFET N-CH 3000V 4A TO247PLUSHVIXTX5N250IXYSMOSFET N-CH 2500V 5A PLUS247-3IXTY08N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 800MA TO252IXTY01N100DIXYSMOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AAIXTX120N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3IXTX20N150IXYSMOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247-3IXTY3N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 3A TO252| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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