IXTN21N100の技術仕様
IXYS - IXTN21N100技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTN21N100仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 500µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | MegaMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 520W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 250 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTN21 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTN21N100と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTN21N100 | IXTN210P10T | IXTN40P50P | IXTL2N450 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 100 V | 500 V | 4500 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IXTN21 | IXTN210 | IXTN40 | IXTL2 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±15V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 520W (Tc) | 830W (Tc) | 890W (Tc) | 220W (Tc) |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 250 nC @ 10 V | 740 nC @ 10 V | 205 nC @ 10 V | 156 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8400 pF @ 25 V | 69500 pF @ 25 V | 11500 pF @ 25 V | 6900 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 500µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 1mA | 6V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | ISOPLUSi5-Pak™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 500mA, 10V | 7.5mOhm @ 105A, 10V | 230mOhm @ 500mA, 10V | 23Ohm @ 1A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Tc) | 210A (Tc) | 40A (Tc) | 2A (Tc) |
| シリーズ | MegaMOS™ | TrenchP™ | PolarP™ | - |
IXTN21N100 - IXYSのIXTN21N100 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTL2X180N10TIXYSMOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAKIXTL2X200N085TIXYSMOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAKIXTN36N150IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN36N50SIIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN210P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 210A SOT227BIXTN40P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 40A SOT227BIXTN30N50IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTL2N450IXYSMOSFET N-CH 4500V 2A I5PAKIXTN24N100IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN30N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 30A SOT227BIXTL2X22DND75TIXYS / LittelfuseIXTN44N50LIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN22N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 22A SOT227BIXTN17N120LIXYSMOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227BIXTN21N10IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN170P10PIXYSMOSFET P-CH 100V 170A SOT227BIXTN200N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 178A SOT227BIXTN36N50IXYSMOSFET N-CH 500V 36A SOT227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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