IXTN210P10Tの技術仕様
IXYS - IXTN210P10T技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXTN210P10T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±15V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | TrenchP™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 105A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 830W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 69500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 740 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 210A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXTN210 |
右側の三つのパーツはIXYS IXTN210P10Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXTN210P10T | IXTN200N10L2 | IXTK90N25L2 | IXTN22N100L |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| Vgs（最大） | ±15V | ±20V | ±20V | ±30V |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | 250 V | 1000 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | TO-264 (IXTK) | SOT-227B |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 740 nC @ 10 V | 540 nC @ 10 V | 640 nC @ 10 V | 270 nC @ 15 V |
| 基本製品番号 | IXTN210 | IXTN200 | IXTK90 | IXTN22 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 210A (Tc) | 178A (Tc) | 90A (Tc) | 22A (Tc) |
| シリーズ | TrenchP™ | Linear L2™ | Linear L2™ | Linear |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 105A, 10V | 11mOhm @ 100A, 10V | 33mOhm @ 45A, 10V | 600mOhm @ 11A, 20V |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 69500 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 7050 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 830W (Tc) | 830W (Tc) | 960W (Tc) | 700W (Tc) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 3mA | 4.5V @ 3mA | 5.5V @ 250µA |
IXTN210P10T - IXYSのIXTN210P10T PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXTL2X22DND75TIXYS / LittelfuseIXTN36N150IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTL2X200N085TIXYSMOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAKIXTN36N50SIIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN200N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 178A SOT227BIXTK90N25L2IXYSMOSFET N-CH 250V 90A TO264IXTN22N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 22A SOT227BIXTN21N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 21A SOT227BIXTN21N10IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTN24N100IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTL2N450IXYSMOSFET N-CH 4500V 2A I5PAKIXTN30N50IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXTL2X180N10TIXYSMOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAKIXTN170P10PIXYSMOSFET P-CH 100V 170A SOT227BIXTN36N50IXYSMOSFET N-CH 500V 36A SOT227BIXTN17N120LIXYSMOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227BIXTN30N100LIXYSMOSFET N-CH 1000V 30A SOT227BIXTK90N15IXYSMOSFET N-CH 150V 90A TO264| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。