IXFN50N50の技術仕様
IXYS - IXFN50N50技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN50N50仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 330 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN50 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN50N50と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN50N50 | IXFN55N50 | IXFN50N80Q2 | IXFN55N50F |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 50A (Tc) | 55A (Tc) | 50A (Tc) | 55A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | IXFN50 | IXFN55 | IXFN50 | IXFN55 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 9400 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V | 13500 pF @ 25 V | 6700 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 500mA, 10V | 90mOhm @ 27.5A, 10V | 160mOhm @ 500mA, 10V | 85mOhm @ 27.5A, 10V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 330 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Q2 Class | HiPerFET™, F Class |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 800 V | 500 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 8mA | 4.5V @ 8mA | 5.5V @ 8mA | 5.5V @ 8mA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | 625W (Tc) | 1135W (Tc) | 600W (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
IXFN50N50 - IXYSのIXFN50N50 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFN55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT-227BIXFN50N80Q2IXYSMOSFET N-CH 800V 50A SOT-227BIXFN60N120D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN55N50FIXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT227BIXFN50N60U1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN48N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 40A SOT227B
IXFN52N90PIXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 43A SOT227IXFN50N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N120SKIXYSSICFET N-CH 1200V 48A SOT227BIXFN48N50U2IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN48N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN55N80Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N800Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN48N50U3IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN50N50PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N120SICIXYSSICFET N-CH 1200V 47A SOT227BIXFN48N55IXYSMOSFET N-CH 550V 48A SOT-227BIXFN520N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 480A SOT227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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