IXFN48N55の技術仕様
IXYS - IXFN48N55技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFN48N55仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 330 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 550 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 48A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFN48 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはIXYS IXFN48N55と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFN48N55 | IXFN48N50U3 | IXFN50N50 | IXFN50N120SK |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 8mA | 4V @ 8mA | 4.5V @ 8mA | 2.8V @ 10mA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | IXFN48 | IXFN48 | IXFN50 | IXFN50 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | +20V, -5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 550 V | 500 V | 500 V | 1200 V |
| 電力消費（最大） | 600W (Tc) | 520W (Tc) | 600W (Tc) | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8900 pF @ 25 V | 8400 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V | 1895 pF @ 1000 V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 330 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V | 115 nC @ 20 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 500mA, 10V | 100mOhm @ 500mA, 10V | 90mOhm @ 500mA, 10V | 52mOhm @ 40A, 20V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 20V |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™ | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 48A (Tc) | 48A (Tc) | 50A (Tc) | 48A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
IXFN47N50IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN48N50U3IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN48N45IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N50IXYSMOSFET N-CH 500V 50A SOT-227BIXFN50N120SKIXYSSICFET N-CH 1200V 48A SOT227BIXFN50N60U1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N120SICIXYSSICFET N-CH 1200V 47A SOT227BIXFN48N50U2IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN50N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN44N50U3IXYSMOSFET N-CH 500V 44A SOT-227BIXFN50N180Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N120S1CIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN48N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN48N50IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN50N50PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN44N80IXYSMOSFET N-CH 800V 44A SOT-227BIXFN48N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 40A SOT227BIXFN44N60IXYSMOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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