IXFK180N10の技術仕様
IXYS - IXFK180N10技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFK180N10仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 90A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 560W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 390 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFK180 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFK180N10と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFK180N10 | IXFK24N90Q | IXFK20N80Q | IXFK170N10P |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 900 V | 800 V | 100 V |
| 基本製品番号 | IXFK180 | IXFK24 | IXFK20 | IXFK170 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 390 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 198 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 8mA | 4.5V @ 4mA | 4.5V @ 4mA | 5V @ 4mA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 560W (Tc) | 500W (Tc) | 360W (Tc) | 715W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) | 24A (Tc) | 20A (Tc) | 170A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10900 pF @ 25 V | 5900 pF @ 25 V | 5100 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 90A, 10V | 450mOhm @ 500mA, 10V | 420mOhm @ 10A, 10V | 9mOhm @ 500mA, 10V |
IXFK180N10 - IXYSのIXFK180N10 PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFK24N90QIXYSMOSFET N-CH 900V 24A TO264AAIXFK20N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 20A TO264AAIXFK170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO264AAIXFK14N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 14A TO264AAIXFK150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO264AAIXFK24N100FIXYSMOSFET N-CH 1000V 24A TO264IXFK170N10IXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO-264AAIXFK21N100FIXYSMOSFET N-CH 1000V 21A TO264IXFK21N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 21A TO264AAIXFK230N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 230A TO264AAIXFK150N15IXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO264AAIXFK150N10IXYSMOSFET N-CH 100V 150A TO264AAIXFK170N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 170A TO264IXFK24N100IXYSMOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AAIXFK200N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 200A TO264AAIXFK15N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 15A TO264AAIXFK180N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 180A TO264AAIXFK16N90QIXYSMOSFET N-CH 900V 16A TO264AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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