IXFK15N100Qの技術仕様
IXYS - IXFK15N100Q技術仕様、属性、パラメーター、およびIXYS - IXFK15N100Q仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | IXYS Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 500mA, 10V | |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IXFK15 |
右側の三つのパーツはIXYS IXFK15N100Qと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IXFK15N100Q | IXFK120N25P | IXFK170N10 | IXFK120N25 |
| メーカー | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) | TO-264AA (IXFK) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 700mOhm @ 500mA, 10V | 24mOhm @ 60A, 10V | 10mOhm @ 500mA, 10V | 22mOhm @ 500mA, 10V |
| シリーズ | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 170 nC @ 10 V | 185 nC @ 10 V | 515 nC @ 10 V | 400 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 250 V | 100 V | 250 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4500 pF @ 25 V | 8000 pF @ 25 V | 10300 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | IXFK15 | IXFK120 | IXFK170 | IXFK120 |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 4mA | 5V @ 4mA | 4V @ 8mA | 4V @ 8mA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Tc) | 120A (Tc) | 170A (Tc) | 120A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 360W (Tc) | 700W (Tc) | 560W (Tc) | 560W (Tc) |
IXFK15N100Q - IXYSのIXFK15N100Q PDFデータテーブルとIXYSドキュメントをダウンロード
IXFK120N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 120A TO264AAIXFK170N10IXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO-264AAIXFK120N25IXYSMOSFET N-CH 250V 120A TO264AAIXFK21N100FIXYSMOSFET N-CH 1000V 21A TO264IXFK170N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 170A TO264AAIXFK150N15PIXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO264AAIXFK150N10IXYSMOSFET N-CH 100V 150A TO264AAIXFK16N90QIXYSMOSFET N-CH 900V 16A TO264AAIXFK170N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 170A TO264IXFK20N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 20A TO264AAIXFK180N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 180A TO264AAIXFK120N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 120A TO264AAIXFK120N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 120A TO264IXFK140N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 140A TO264AAIXFK14N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 14A TO264AAIXFK200N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 200A TO264AAIXFK180N10IXYSMOSFET N-CH 100V 180A TO264AAIXFK150N15IXYSMOSFET N-CH 150V 150A TO264AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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