06N06Lの技術仕様
Goford Semiconductor - 06N06L技術仕様、属性、パラメーター、およびGoford Semiconductor - 06N06L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Goford Semiconductor | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3L | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42mOhm @ 3A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 960mW | |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 765 pF @ 30 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.4 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A |
右側の三つのパーツはGoford Semiconductor 06N06Lと同様の仕様
| 製品属性 | |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 06N06L | IRF7606TR | FDS4072N3 | DMN5L06TK-7 |
| メーカー | Goford Semiconductor | Infineon Technologies | onsemi | Diodes Incorporated |
| パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | SOT-523 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 42mOhm @ 3A, 10V | 90mOhm @ 2.4A, 10V | 10mOhm @ 13.7A, 10V | 2Ohm @ 50mA, 5V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1.2V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 30 V | 40 V | 50 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.4 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 46 nC @ 4.5 V | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3L | Micro8™ | 8-SO FLMP | SOT-523 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.5A | 3.6A (Ta) | 12.4A (Ta) | 280mA (Ta) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±12V | ±20V |
| FETタイプ | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 960mW | 1.8W (Ta) | 3W (Ta) | 150mW (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| シリーズ | - | HEXFET® | PowerTrench® | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 765 pF @ 30 V | 520 pF @ 25 V | 4299 pF @ 20 V | 50 pF @ 25 V |
06N06L - Goford Semiconductorの06N06L PDFデータテーブルとGoford Semiconductorドキュメントをダウンロード
IRF7606TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8FDS4072N3onsemiMOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO06N02 TO251VBSEMI
06N60C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)06N03LZCypress Semiconductor (Infineon Technologies)06N03LA TO252VBSEMI06N90GFUJIDMN5L06TK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 50V 280MA SOT-52306N02 TO252VBSEMI
BSO072N03SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A 8DSO06N03LACypress Semiconductor (Infineon Technologies)
FDT86102LZonsemiMOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-406N03LAGInfineon
FDD6676ASonsemiMOSFET N-CH 30V 90A TO252
SCT30N120STMicroelectronicsSICFET N-CH 1200V 40A HIP24706N03I06N80C3INF
IRFP4310ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO247AC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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