IRF7606TRの技術仕様
Infineon Technologies - IRF7606TR技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF7606TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 2.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 520 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.6A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF7606TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF7606TR | IRF7606TRPBF | IRF7604TR | IRF7607 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| サプライヤデバイスパッケージ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ | Micro8™ |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.6A (Ta) | 3.6A (Ta) | 3.6A (Ta) | 6.5A (Ta) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 20 V | 20 V |
| FETタイプ | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | - | 1.8W (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | 2.5V, 4.5V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tube |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 90mOhm @ 2.4A, 10V | 90mOhm @ 2.4A, 10V | 90mOhm @ 2.4A, 4.5V | 30mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 1.2V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 520 pF @ 25 V | 520 pF @ 25 V | 590 pF @ 15 V | 1310 pF @ 15 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | ±12V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 20 nC @ 4.5 V | 22 nC @ 5 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
IRF7606TR - Infineon TechnologiesのIRF7606TR PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF7606TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8IRF7604TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8
IRF7606PBFIRIRF7607PBFIRIRF7626IRIRF7606 MOSIRIRF7607Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO8IRF7603TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8IRF7606GTRPBFIRIRF7606IRIRF7607TRIRIRF7607TRPBFInternational RectifierIRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF7663Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8IRF7604TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8IRF7604IRIRF7603TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8IRF7606TRPBF MOSIRIRF7626TRPBFIRF| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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