FQS4900TFの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQS4900TF技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQS4900TF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.95V @ 20mA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 650mA, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.1nC @ 5V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V, 300V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A, 300mA | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | |
| 基本製品番号 | FQS4900 |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQS4900TFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQS4900TF | SP8M4FU6TB | DMC4015SSD-13 | SI8902EDB-T2-E1 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Rohm Semiconductor | Diodes Incorporated | Vishay Siliconix |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.95V @ 20mA | 2.5V @ 1mA | 3V @ 250µA | 1V @ 980µA |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 1.2W | 1W |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | QFET® | - | - | TrenchFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 2.1nC @ 5V | 21nC @ 5V | 40nC @ 10V | - |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOP | 8-SO | 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - | 1190pF @ 10V | 1810pF @ 20V | - |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 6-MICRO FOOT®CSP |
| 基本製品番号 | FQS4900 | SP8M4 | DMC4015 | SI8902 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V, 300V | 30V | 40V | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.3A, 300mA | 9A, 7A | 8.6A, 6.2A | 3.9A |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 550mOhm @ 650mA, 10V | 18mOhm @ 9A, 10V | 15mOhm @ 3A, 10V | - |
FQS4900AMI Semiconductor/onsemiSP8M4FU6TBRohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOICFQS4410AMI Semiconductor/onsemiDMC4015SSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SOSI8902EDB-T2-E1Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
FQS4900TFonsemiMOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOP
FQS4901TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0IRFNL210BTAFairchild Semiconductor200V N-CHANNEL MOSFETDMC3026LSD-13Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8SOFQS4410-NLFairchild (onsemi)FQS4901TFonsemiMOSFET 2N-CH 400V 450MA 8SOIC
DMG1026UV-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563FQS4903TFonsemiMOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP
DMN2040LTS-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOPFDZ2554PonsemiMOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA
MMDF1N05ER2GonsemiMOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOICFQS4900TF MOSFairchild (onsemi)FDB12N50FTMFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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