FQS4901TFの技術仕様
onsemi - FQS4901TF技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQS4901TF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2Ohm @ 225mA, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 450mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FQS4901 |
右側の三つのパーツはonsemi FQS4901TFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQS4901TF | FQS4900TF | SSD2009ATF | IPG20N06S4L14AATMA1 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400V | 60V, 300V | 50V | 60V |
| 基本製品番号 | FQS4901 | FQS4900 | SSD2009 | IPG20N |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-PowerVDFN |
| シリーズ | QFET® | QFET® | - | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2Ohm @ 225mA, 10V | 550mOhm @ 650mA, 10V | 130mOhm @ 3A, 10V | 13.7mOhm @ 17A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5nC @ 10V | 2.1nC @ 5V | 25nC @ 10V | 39nC @ 10V |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 50W |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210pF @ 25V | - | - | 2890pF @ 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 450mA | 1.3A, 300mA | 3A | 20A |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 1.95V @ 20mA | 3V @ 250µA | 2.2V @ 20µA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount, Wettable Flank |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | PG-TDSON-8-10 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
FQS4901TF - onsemiのFQS4901TF PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQS4900TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1SSD2009ATFonsemiMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICIPG20N06S4L14AATMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSONNDS9945onsemiMOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOICFQS4900TF MOSFairchild (onsemi)
ZXMP6A16DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOICFQS4410-NLFairchild (onsemi)FQS4901TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0FDR8308PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
SI4936CDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
FQS4900AMI Semiconductor/onsemiFQS4903TFonsemiMOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOPFQS4900TFonsemiMOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOPFQS4410AMI Semiconductor/onsemi
IRF7304Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOICIRF7379TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
SIZ998BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
NTMC1300R2onsemiMOSFET N/P-CH 30V 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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