FQS4901TFの技術仕様
onsemi - FQS4901TF技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQS4901TF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2Ohm @ 225mA, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210pF @ 25V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 450mA | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FQS4901 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FQS4901TFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQS4901TF | BSO615CGHUMA1 | FQS4903TF | STS4DPF20L |
| メーカー | onsemi | Infineon Technologies | onsemi | STMicroelectronics |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400V | 60V | 500V | 20V |
| 基本製品番号 | FQS4901 | BSO615 | FQS4903 | STS4D |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| シリーズ | QFET® | SIPMOS® | QFET® | STripFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.2Ohm @ 225mA, 10V | 110mOhm @ 3.1A, 10V | 6.2Ohm @ 185mA, 10V | 80mOhm @ 2A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.5nC @ 10V | 22.5nC @ 10V | 8.2nC @ 10V | 16nC @ 5V |
| 電力 - 最大 | 2W | 2W | 2W | 1.6W |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 210pF @ 25V | 380pF @ 25V | 200pF @ 25V | 1350pF @ 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 450mA | 3.1A, 2A | 370mA | 4A |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 2V @ 20µA | 4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | PG-DSO-8 | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
FQS4901TF - onsemiのFQS4901TF PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
BSO615CGHUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
FQS4900AMI Semiconductor/onsemiFQS4410AMI Semiconductor/onsemiFQS4903TFonsemiMOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOPSTS4DPF20LSTMicroelectronicsMOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
FQS4903TF MOSFairchild (onsemi)FQS4900TFonsemiMOSFET N/P-CH 60V/300V 8SOPFQS4900TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
SH8M11TB1Rohm SemiconductorMOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
NTMD6N03R2onsemiMOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
SI4816BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOICFQS4410-NLFairchild (onsemi)FQS4900TF MOSFairchild (onsemi)FQS4900TF.Fairchild (onsemi)
IRF5852TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOPFQS4901TFFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0BSO615NGHUMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
SI6966EDQ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 8TSSOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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