FQAF10N80の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQAF10N80技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQAF10N80仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PF | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.05Ohm @ 3.35A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 113W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3 Full Pack | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2700 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 71 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.7A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQAF10N80と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQAF10N80 | FQAF11N90C | FQAF17N40 | FQAF16N50 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PF | TO-3PF | TO-3PF | TO-3PF |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2700 pF @ 25 V | 3290 pF @ 25 V | 2300 pF @ 25 V | 3000 pF @ 25 V |
| 電力消費（最大） | 113W (Tc) | 120W (Tc) | 100W (Tc) | 110W (Tc) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 800 V | 900 V | 400 V | 500 V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 71 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.05Ohm @ 3.35A, 10V | 1.1Ohm @ 3.5A, 10V | 270mOhm @ 6.1A, 10V | 320mOhm @ 5.65A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.7A (Tc) | 7A (Tc) | 12.2A (Tc) | 11.3A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
FQA90N15 MOSFairchild (onsemi)FQAF11N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 7A TO3PFFQAF17N40onsemiMOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PFFQAF16N50Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQA9N50onsemiMOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PFQA9N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 9A TO3PFQAF16N25CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PFFQAF10N80onsemiMOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PFFQA9N90_F109Fairchild (onsemi)FQA9N90C_F109Fairchild (onsemi)FQAF16N50onsemiMOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PFFQA90N15onsemiMOSFET N-CH 150V 90A TO3PNFQAF13N80onsemiMOSFET N-CH 800V 8A TO3PFFQA9N90C-F109onsemiMOSFET N-CH 900V 9A TO3PFQAF16N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PFFQA9N90Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQAF12N60onsemiMOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PFFQA9N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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