画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
- 高速オプション
- 支払方法
FQA9N50 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FQA9N50
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FQA9N50
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
- パッケージ
- TO-3P-3, SC-65-3
- データシート
- FQA9N50.pdf
- 認定
- 在庫あり: 4560
FQA9N50の技術仕様
onsemi - FQA9N50技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FQA9N50仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 730mOhm @ 4.8A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.6A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FQA9 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FQA9N50と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQA9N50 | FQA90N15 | FQA90N08 | FQA9N90 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN | TO-3P |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36 nC @ 10 V | 285 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 160W (Tc) | 375W (Tc) | 214W (Tc) | 240W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.6A (Tc) | 90A (Tc) | 90A (Tc) | 8.6A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | FQA9 | - | FQA90 | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 730mOhm @ 4.8A, 10V | 18mOhm @ 45A, 10V | 16mOhm @ 45A, 10V | 1.3Ohm @ 4.3A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±25V | ±25V | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1450 pF @ 25 V | 8700 pF @ 25 V | 3250 pF @ 25 V | 2700 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 150 V | 80 V | 900 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
FQA9N50 - onsemiのFQA9N50 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FQA90N15Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9FQA90N08onsemiMOSFET N-CH 80V 90A TO3PNFQA9N90Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQA9N90C_F109Fairchild (onsemi)
FQAF10N80onsemiMOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PFFQA90N10V2Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 105A TO3PFQA90N15onsemiMOSFET N-CH 150V 90A TO3PNFQA9N90_F109Fairchild (onsemi)FQA90N10V2onsemiMOSFET N-CH 100V 105A TO3PFQA90N08Fairchild SemiconductorFQA90N08 - POWER MOSFET, N-CHANNFQA90N08 MOSFairchild (onsemi)FQAF11N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 7A TO3PFFQA9N90C-F109onsemiMOSFET N-CH 900V 9A TO3PFQA9N60CFairchild (onsemi)FQAF10N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PFFQA9N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 9A TO3PFQA9N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PFQA90N15 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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