FQA6N70の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQA6N70技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQA6N70仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 3.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 152W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 700 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.4A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQA6N70と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQA6N70 | FQA7N60 | FQA65N06 | FQA70N15 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 2410 pF @ 25 V | 5400 pF @ 25 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 152W (Tc) | 152W (Tc) | 183W (Tc) | 330W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 3.2A, 10V | 1Ohm @ 3.9A, 10V | 16mOhm @ 36A, 10V | 28mOhm @ 35A, 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 40 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 175 nC @ 10 V |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 700 V | 600 V | 60 V | 150 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±25V | ±25V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3PN |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6.4A (Tc) | 7.7A (Tc) | 72A (Tc) | 70A (Tc) |
FQA6N90CFSCFQA7N60onsemiMOSFET N-CH 600V 7.7A TO3PFQA65N06onsemiMOSFET N-CH 60V 72A TO3PFQA70N15Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQA65N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQA65N20 CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FQA6N90C-F109onsemiMOSFET N-CH 900V 6A TO3PNFQA65N20onsemiMOSFET N-CH 200V 65A TO3PNFQA6N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.3A TO3PFQA70N10 MOSFairchild (onsemi)FQA65N20 MOSFairchild (onsemi)FQA6N70onsemiMOSFET N-CH 700V 6.4A TO3PFQA70N15onsemiMOSFET N-CH 150V 70A TO3PNFQA6N80onsemiMOSFET N-CH 800V 6.3A TO3PFQA62N25C MOSFairchild (onsemi)
FQA70N10onsemiMOSFET N-CH 100V 70A TO3PNFQA62N25C CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FQA65N20 CMH82N25Fairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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