FQA65N20の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FQA65N20技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FQA65N20仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | |
| シリーズ | QFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 32.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7900 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FQA65N20と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FQA65N20 | FQA6N90C-F109 | FQA62N25C | FQA5N90 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 200 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7900 pF @ 25 V | 1770 pF @ 25 V | 6280 pF @ 25 V | 1550 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | 198W (Tc) | 298W (Tc) | 185W (Tc) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 32mOhm @ 32.5A, 10V | 2.3Ohm @ 3A, 10V | 35mOhm @ 31A, 10V | 2.3Ohm @ 2.9A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 200 V | 900 V | 250 V | 900 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3P |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 65A (Tc) | 6A (Tc) | 62A (Tc) | 5.8A (Tc) |
| シリーズ | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
FQA6N90C-F109onsemiMOSFET N-CH 900V 6A TO3PNFQA62N25ConsemiMOSFET N-CH 250V 62A TO3PNFQA65N20 CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FQA5N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 5.8A TO3PFQA6N80onsemiMOSFET N-CH 800V 6.3A TO3PFQA62N25C CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FQA6N70onsemiMOSFET N-CH 700V 6.4A TO3PFQA6N70Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 700V 6.4A TO3PFQA5N90onsemiMOSFET N-CH 900V 5.8A TO3PFQA65N20onsemiMOSFET N-CH 200V 65A TO3PNFQA6N90CFSCFQA6N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.3A TO3PFQA62N25C CMH82N25Fairchild (onsemi)FQA65N20 CMH82N25Fairchild (onsemi)FQA62N25C MOSFairchild (onsemi)FQA62N25CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQA65N20 MOSFairchild (onsemi)FQA65N06onsemiMOSFET N-CH 60V 72A TO3P| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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