FGA50N100BNTTUの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FGA50N100BNTTU技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FGA50N100BNTTU仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1000 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.9V @ 15V, 60A | |
| 試験条件 | 600V, 60A, 10Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 34ns/243ns | |
| エネルギーの切り替え | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 156 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT and Trench | |
| ゲートチャージ | 257 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 200 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 50 A |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FGA50N100BNTTUと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FGA50N100BNTTU | FGA50S110P | FGA50N60LS | FGA5065ADF |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 34ns/243ns | - | 54ns/146ns | 20.8ns/62.4ns |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 50 A | 50 A | 100 A | 100 A |
| IGBTタイプ | NPT and Trench | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 200 A | 120 A | 150 A | 150 A |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 試験条件 | 600V, 60A, 10Ohm, 15V | - | 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V | 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1000 V | 1100 V | 600 V | 650 V |
| エネルギーの切り替え | - | - | 1.1mJ (on), 3.2mJ (off) | 1.35mJ (on), 309µJ (off) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力 - 最大 | 156 W | 300 W | 240 W | 268 W |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P | TO-3PN | TO-3P | TO-3PN |
| ゲートチャージ | 257 nC | 195 nC | 167 nC | 72.2 nC |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.9V @ 15V, 60A | 2.6V @ 15V, 50A | 1.8V @ 15V, 50A | 2.2V @ 15V, 50A |
FGA50S110PFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA50N60LSonsemiIGBT 600V 100A 240W TO3PFGA50N100BNTFairchild (onsemi)FGA5065ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PNFGA50N100BNTTUonsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA40T65SHDFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PNFGA50N100BNTDTUonsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA6060ADFFairchild (onsemi)FGA40T65UQDFonsemiIGBT NPT 650V 80A TO3PNFGA5065ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA50N100BNTD2onsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA50T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PNFGA50S110PonsemiIGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN
FGA50T65Electro-Films (EFI) / VishayFGA50T65SHDFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA50N100BNTDFairchild (onsemi)FGA50N100FAIRCHILFGA40T65UQDFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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