FGA40T65UQDFの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FGA40T65UQDF技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FGA40T65UQDF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 1.67V @ 15V, 40A | |
| 試験条件 | 400V, 40A, 6Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 32ns/271ns | |
| エネルギーの切り替え | 989µJ (on), 310µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 89 ns | |
| 電力 - 最大 | 231 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT | |
| ゲートチャージ | 306 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 120 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 80 A |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FGA40T65UQDFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FGA40T65UQDF | FGA50N100BNTD2 | FGA40T65SHDF | FGA4060ADF |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| シリーズ | - | - | - | - |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 120 A | 200 A | 120 A | 120 A |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN | TO-3P | TO-3PN | TO-3PN |
| IGBTタイプ | NPT | NPT and Trench | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 650 V | 1000 V | 650 V | 600 V |
| 電力 - 最大 | 231 W | 156 W | 268 W | 238 W |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| エネルギーの切り替え | 989µJ (on), 310µJ (off) | - | 1.22mJ (on), 440µJ (off) | 1.37mJ (on), 250µJ (off) |
| 試験条件 | 400V, 40A, 6Ohm, 15V | 600V, 60A, 10Ohm, 15V | 400V, 40A, 6Ohm, 15V | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| 逆回復時間（trrの） | 89 ns | 75 ns | 101 ns | 26 ns |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 80 A | 50 A | 80 A | 80 A |
| ゲートチャージ | 306 nC | 257 nC | 68 nC | 55.5 nC |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 1.67V @ 15V, 40A | 2.9V @ 15V, 60A | 1.81V @ 15V, 40A | 2.3V @ 15V, 40A |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 32ns/271ns | 34ns/243ns | 18ns/64ns | 16.8ns/54.4ns |
FGA50N100BNTD2onsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA40T65SHDFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PNFGA4060ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 600V 80A TO3PN
FGA4060ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA40T65SHDonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PNFGA40T65SHDFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA40N60UFDTUFairchild SemiconductorIGBT, 40A, 600V, N-CHANNELFGA50N100BNTDTUonsemiIGBT 1000V 50A 156W TO3PFGA40N60UFDFSCFGA40T65UQDFonsemiIGBT NPT 650V 80A TO3PNFGA5065ADFonsemiIGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PNFGA50N100BNTTUFairchild SemiconductorIGBT, 50A, 1000V, N-CHANNELFGA50N100BNTDFairchild (onsemi)FGA50N100BNTFairchild (onsemi)FGA40N65SMDonsemiIGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PNFGA5065ADFFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOFGA40N60UFDTUonsemiIGBT 600V 40A 160W TO3PFGA50N100FAIRCHIL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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