FDU3N40TUの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDU3N40TU技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDU3N40TU仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | UniFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.4Ohm @ 1A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FDU3 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDU3N40TUと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDU3N40TU | FDU6512A | FDU6512A | FDU3706 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2A (Tc) | 10.7A (Ta), 36A (Tc) | 10.7A (Ta), 36A (Tc) | 14.7A (Ta), 50A (Tc) |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 30W (Tc) | 3.8W (Ta), 43W (Tc) | 3.8W (Ta), 43W (Tc) | 3.8W (Ta), 44W (Tc) |
| 基本製品番号 | FDU3 | - | FDU65 | FDU37 |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs（最大） | ±30V | ±12V | ±12V | ±12V |
| シリーズ | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 21mOhm @ 10.7A, 4.5V | 21mOhm @ 10.7A, 4.5V | 9mOhm @ 16.2A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 225 pF @ 25 V | 1082 pF @ 10 V | 1082 pF @ 10 V | 1882 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 6 nC @ 10 V | 19 nC @ 4.5 V | 19 nC @ 4.5 V | 23 nC @ 4.5 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FDU1040D-R88MP3Murata ElectronicsFDU1060-1R4MP3Murata ElectronicsFDU1250C-1R0MP3Murata ElectronicsFDU6296 MOSFairchild (onsemi)FDU6512AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
FDU420-13Diodes IncorporatedFDU6512A MOSFairchild (onsemi)FDU2572 MOSFairchild (onsemi)FDU6512AonsemiMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAKFDU3706onsemiMOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAKFDU3N40Fairchild (onsemi)FDU2572Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAKFDU2572onsemiMOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAKFDU3N40TUonsemiMOSFET N-CH 400V 2A IPAKFDU400XXFDU6296Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 15A/50A IPAKFDU6296onsemiMOSFET N-CH 30V 15A/50A IPAKFDU1050-H-1R5MP3Murata Electronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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