FDU2572の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDU2572技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDU2572仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 54mOhm @ 9A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 135W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1770 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta), 29A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDU2572と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDU2572 | FDU3N40TU | FDU3706 | FDU6296 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 10V | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1770 pF @ 25 V | 225 pF @ 25 V | 1882 pF @ 10 V | 1440 pF @ 15 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 54mOhm @ 9A, 10V | 3.4Ohm @ 1A, 10V | 9mOhm @ 16.2A, 10V | 8.8mOhm @ 15A, 10V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 400 V | 20 V | 30 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Ta), 29A (Tc) | 2A (Tc) | 14.7A (Ta), 50A (Tc) | 15A (Ta), 50A (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±12V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 135W (Tc) | 30W (Tc) | 3.8W (Ta), 44W (Tc) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK | I-PAK | I-PAK | I-PAK |
| シリーズ | PowerTrench® | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 34 nC @ 10 V | 6 nC @ 10 V | 23 nC @ 4.5 V | 31.5 nC @ 10 V |
FDU420-13Diodes IncorporatedFDU3N40Fairchild (onsemi)
FDU1040D-R56MP3Murata ElectronicsFDU3N40TUonsemiMOSFET N-CH 400V 2A IPAKFDU3706onsemiMOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAKFDU1040D-H-R56MP3Murata Power SolutionsFDU1060-1R4MP3Murata ElectronicsFDU6296Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 15A/50A IPAKFDU1040D-H-R56MMurata ElectronicsFDU1050-H-1R5MP3Murata ElectronicsFDU1250C-1R0MP3Murata ElectronicsFDU3N40TUFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDU1040D-H-R68MMurata ElectronicsFDU400XXFDU1040D-R88MP3Murata ElectronicsFDU1040-R36MP3Murata ElectronicsFDU2572 MOSFairchild (onsemi)FDU2572onsemiMOSFET N-CH 150V 4A/29A IPAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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