FDS6572Aの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDS6572A技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDS6572A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 16A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5914 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDS6572Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDS6572A | FDS6574A | FDS6575 | FDS6570A |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta) | 16A (Ta) | 10A (Ta) | 15A (Ta) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5914 pF @ 10 V | 7657 pF @ 10 V | 4951 pF @ 10 V | 4700 pF @ 10 V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 80 nC @ 4.5 V | 105 nC @ 4.5 V | 74 nC @ 4.5 V | 66 nC @ 5 V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±12V | ±8V | ±8V | ±8V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 6mOhm @ 16A, 4.5V | 6mOhm @ 16A, 4.5V | 13mOhm @ 10A, 4.5V | 7.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
FDS6574AonsemiMOSFET N-CH 20V 16A 8SOICFDS6570A_NLFairchild (onsemi)FDS6570A MOSFairchild (onsemi)FDS6575Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS6574A-NLVBSEMIFDS6572A_NLFairchild (onsemi)FDS6570AonsemiMOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC
FDS6572AMI Semiconductor/onsemiFDS6570-NLVBSEMIFDS6570AFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS6572A-NLVBSEMIFDS6574A MOSFairchild (onsemi)FDS6574A_NLFairchild (onsemi)FDS6570AMI Semiconductor/onsemiFDS6575onsemiMOSFET P-CH 20V 10A 8SOICFDS6574_NLFairchild (onsemi)FDS6572AonsemiMOSFET N-CH 20V 16A 8SOICFDS6570A-NLVBSEMI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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