FDS6570Aの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDS6570A技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDS6570A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±8V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 15A, 4.5V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4700 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 66 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDS6570Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDS6570A | FDS6570A | FDS6572A | FDS6375 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 15A, 4.5V | 7.5mOhm @ 15A, 4.5V | 6mOhm @ 16A, 4.5V | 24mOhm @ 8A, 4.5V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| Vgs（最大） | ±8V | ±8V | ±12V | ±8V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4700 pF @ 10 V | 4700 pF @ 10 V | 5914 pF @ 10 V | 2694 pF @ 10 V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A (Ta) | 15A (Ta) | 16A (Ta) | 8A (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 66 nC @ 5 V | 66 nC @ 5 V | 80 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 4.5 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
FDS6570A MOSFairchild (onsemi)FDS6570-NLVBSEMIFDS6570AonsemiMOSFET N-CH 20V 15A 8SOICFDS6375-NLFairchild (onsemi)FDS6572AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 20V 16A 8SOICFDS6375_NLFairchild (onsemi)FDS6572A_NLFairchild (onsemi)FDS6299S_NLFairchild (onsemi)FDS6375onsemiMOSFET P-CH 20V 8A 8SOICFDS6570A-NLVBSEMIFDS6375Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS6572A-NLVBSEMIFDS6299S-NLVBSEMI
FDS6570AMI Semiconductor/onsemiFDS6572AMI Semiconductor/onsemiFDS6375 MOSFairchild (onsemi)FDS6570A_NLFairchild (onsemi)FDS6572AonsemiMOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。