FDMS0300Sの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDMS0300S技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDMS0300S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8705 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 133 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Ta), 49A (Tc) |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDMS0300Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMS0300S | FDMS015N04B | FDMS0308AS | FDMS0302S |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8mOhm @ 30A, 10V | 1.5mOhm @ 50A, 10V | 2.8mOhm @ 24A, 10V | 1.9mOhm @ 28A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | 2.5W (Ta), 104W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | 2.5W (Ta), 89W (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 40 V | 30 V | 30 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 1mA | 4V @ 250µA | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| シリーズ | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench® | PowerTrench®, SyncFET™ | PowerTrench®, SyncFET™ |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8705 pF @ 15 V | 8725 pF @ 20 V | 3000 pF @ 15 V | 7350 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 133 nC @ 10 V | 118 nC @ 10 V | 47 nC @ 10 V | 109 nC @ 10 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Ta), 49A (Tc) | 31.3A (Ta), 100A (Tc) | 24A (Ta), 49A (Tc) | 29A (Ta), 49A (Tc) |
FDMS015N04BFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFNFDMS0308ASFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FDMS015N04B MOSFairchild (onsemi)FDMS0302SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFN
FDMS0308ASonsemiMOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFNFDMS0300SonsemiMOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFNFDMS0302S MOSFairchild (onsemi)FDMS0302SonsemiMOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFNFDMS0306SonsemiINTEGRATED CIRCUITFDMS003N08ConsemiMOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56FDMQ8403Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDMS004N08ConsemiMOSFET N-CH 80V 126A 8PQFNFDMS0306ASonsemiMOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFNFDMS0306SFairchild Semiconductor1-ELEMENT, N-CHANNELFDMQ86530LonsemiMOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLPFDMQ8403onsemiMOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLPFDMS012N048Fairchild (onsemi)FDMS015N04BonsemiMOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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