画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDMQ8403 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDMQ8403
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDMQ8403
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12MLP
- 詳細な説明
- パッケージ
- 12-WDFN Exposed Pad
- データシート
- FDMQ8403.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 18096
FDMQ8403の技術仕様
onsemi - FDMQ8403技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMQ8403仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 12-MLP (5x4.5) | |
| シリーズ | GreenBridge™ PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 3A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.9W | |
| パッケージ/ケース | 12-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 215pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A | |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) | |
| 基本製品番号 | FDMQ84 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMQ8403と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMQ8403 | FDMQ8403 | FDML7610S | FDMQ8203 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.1A | 3.1A | 12A, 17A | 3.4A, 2.6A |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 110mOhm @ 3A, 10V | 110mOhm @ 3A, 10V | 7.5mOhm @ 12A, 10V | 110mOhm @ 3A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 12-WDFN Exposed Pad | 12-WDFN Exposed Pad | 8-PowerWDFN | 12-WDFN Exposed Pad |
| シリーズ | GreenBridge™ PowerTrench® | GreenBridge™ PowerTrench® | PowerTrench® | GreenBridge™ PowerTrench® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5nC @ 10V | 5nC @ 10V | 28nC @ 10V | 5nC @ 10V |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Half Bridge) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) |
| 基本製品番号 | FDMQ84 | FDMQ84 | FDML7610 | FDMQ82 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電力 - 最大 | 1.9W | 1.9W | 800mW, 900mW | 2.5W |
| サプライヤデバイスパッケージ | 12-MLP (5x4.5) | 12-MLP (5x4.5) | 8-MLP (3x4.5) | 12-MLP (5x4.5) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 215pF @ 15V | 215pF @ 15V | 1750pF @ 15V | 210pF @ 50V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100V | 100V | 30V | 100V, 80V |
FDMQ8403 - onsemiのFDMQ8403 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMQ8403Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDMS003N08ConsemiMOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56FDMQ8203 MOSFairchild (onsemi)FDMS015N04BonsemiMOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFNFDML7610SonsemiMOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8MLP
FDMF8704VonsemiIC HALF BRIDGE DRVR 32A PWR88-56FDMF8705Fairchild SemiconductorIC HALF BRIDGE DRVR 18A PWR88-56FDMS0302SonsemiMOSFET N-CH 30V 29A/49A 8PQFNFDMS0300SFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFNFDMQ8205AonsemiGREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-EFDMS015N04BFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFNFDMS0300SonsemiMOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFNFDMF8704VFairchild SemiconductorIC HALF BRIDGE DRVR 32A PWR88-56FDMS012N048Fairchild (onsemi)FDMF8705onsemiIC HALF BRIDGE DRVR 18A PWR88-56FDMQ8203onsemiMOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLPFDMQ86530LonsemiMOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLPFDMS004N08ConsemiMOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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