FDD26AN06A0の技術仕様
Fairchild Semiconductor - FDD26AN06A0技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FDD26AN06A0仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 36A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 75W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta), 36A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FDD26AN06A0と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD26AN06A0 | FDD2670 | FDD306P | FDD2612 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 200 V | 12 V | 200 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 17 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 21 nC @ 4.5 V | 11 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) | TO-252AA | TO-252AA | TO-252AA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 26mOhm @ 36A, 10V | 130mOhm @ 3.6A, 10V | 28mOhm @ 6.7A, 4.5V | 720mOhm @ 1.5A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800 pF @ 25 V | 1228 pF @ 100 V | 1290 pF @ 6 V | 234 pF @ 100 V |
| 電力消費（最大） | 75W (Tc) | 3.2W (Ta), 70W (Tc) | 52W (Ta) | 42W (Ta) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±8V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 1.8V, 4.5V | 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7A (Ta), 36A (Tc) | 3.6A (Ta) | 6.7A (Ta) | 4.9A (Ta) |
FDD3510H MOSFairchild (onsemi)FDD2670onsemiMOSFET N-CH 200V 3.6A TO252FDD306PonsemiMOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
FDD3510HonsemiMOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252FDD2670-NLVBSEMIFDD306P MOSFairchild (onsemi)
FDD26AN06A0-F085ONsemiFDD2612onsemiMOSFET N-CH 200V 4.9A TO252FDD2N80Fairchild (onsemi)FDD2582Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD26AN06_F085Fairchild (onsemi)FDD2670 MOSFairchild (onsemi)FDD2612Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 4.9A TO252FDD26AN06AOFairchild (onsemi)FDD26AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAFDD2582 MOSFairchild (onsemi)FDD2582onsemiMOSFET N-CH 150V 3.7/21A TO252AAFDD2741BFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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