FDD3510Hの技術仕様
onsemi - FDD3510H技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDD3510H仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 4.3A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.3W | |
| パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800pF @ 40V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A, 2.8A | |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel, Common Drain | |
| 基本製品番号 | FDD3510 |
右側の三つのパーツはonsemi FDD3510Hと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDD3510H | FDD26AN06A0 | FDD2N80 | FDD26AN06A0 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild (onsemi) | onsemi |
| 基本製品番号 | FDD3510 | - | - | FDD26 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 80mOhm @ 4.3A, 10V | 26mOhm @ 36A, 10V | - | 26mOhm @ 36A, 10V |
| コンフィギュレーション | N and P-Channel, Common Drain | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 (DPAK) | TO-252, (D-Pak) | - | TO-252AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 18nC @ 10V | 17 nC @ 10 V | - | 17 nC @ 10 V |
| 電力 - 最大 | 1.3W | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80V | 60 V | - | 60 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | - | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.3A, 2.8A | 7A (Ta), 36A (Tc) | - | 7A (Ta), 36A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 800pF @ 40V | 800 pF @ 25 V | - | 800 pF @ 25 V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | - | PowerTrench® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) |
FDD3510H - onsemiのFDD3510H PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDD26AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAFDD2N80Fairchild (onsemi)FDD26AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAFDD3580onsemiMOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAKFDD3510H MOSFairchild (onsemi)FDD3570onsemiMOSFET N-CH 80V 10A TO252FDD3670onsemiMOSFET N-CH 100V 34A TO252
FDD2670-NLVBSEMIFDD2670 MOSFairchild (onsemi)FDD3570Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 10A TO252FDD3580Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 7.7A DPAKFDD3570 MOSFairchild (onsemi)FDD306PonsemiMOSFET P-CH 12V 6.7A TO252FDD26AN06AOFairchild (onsemi)FDD3670Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDD3580 MOSFairchild (onsemi)FDD306P MOSFairchild (onsemi)FDD26AN06_F085Fairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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