FCP125N60Eの技術仕様
Fairchild Semiconductor - FCP125N60E技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - FCP125N60E仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | SuperFET® II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 14.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 278W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2990 pF @ 380 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 29A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FCP125 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor FCP125N60Eと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FCP125N60E | FCP11N60 | FCP13N60N | FCP125N65S3R0 |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 2.4mA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 29A (Tc) | 11A (Tc) | 13A (Tc) | 24A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | FCP125 | - | FCP13N60 | FCP125 |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 95 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 39.5 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 278W (Tc) | 125W (Tc) | 116W (Tc) | 181W (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2990 pF @ 380 V | 1490 pF @ 25 V | 1765 pF @ 100 V | 1940 pF @ 400 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 600 V | 600 V | 650 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 14.5A, 10V | 380mOhm @ 5.5A, 10V | 258mOhm @ 6.5A, 10V | 125mOhm @ 12A, 10V |
| シリーズ | SuperFET® II | SuperFET™ | SupreMOS™ | SuperFET® III |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
FCP11N60N MOSFairchild (onsemi)FCP11N60 MOSFairchild (onsemi)FCP11N60Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP13N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 13A TO220-3FCP125N65S3R0onsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO220-3FCP150N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO220-3FCP11N60F MOSFairchild (onsemi)FCP130N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 28A TO220-3FCP13N60KERSEMIFCP11N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3FCP13N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FCP1206H103J-H2Cornell Dubilier Electronics (CDE)CAP FILM 10000PF 5% 50VDC 1206FCP150N65FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCP125N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 29A TO220-3FCP11N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP11N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP130N60onsemiMOSFET N-CH 600V 28A TO220-3FCP125N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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