FCP125N65S3R0の技術仕様
onsemi - FCP125N65S3R0技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FCP125N65S3R0仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 2.4mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | SuperFET® III | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 12A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 181W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1940 pF @ 400 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) | |
| 基本製品番号 | FCP125 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FCP125N65S3R0と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FCP125N65S3R0 | FCP130N60 | FCP11N60N | FCP130N60 |
| メーカー | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| シリーズ | SuperFET® III | SuperFET® II | SupreMOS™ | SuperFET® II |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1940 pF @ 400 V | 3590 pF @ 380 V | 1505 pF @ 100 V | 3590 pF @ 380 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Tc) | 28A (Tc) | 10.8A (Tc) | 28A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4.5V @ 2.4mA | 3.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±30V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 125mOhm @ 12A, 10V | 130mOhm @ 14A, 10V | 299mOhm @ 5.4A, 10V | 130mOhm @ 14A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 46 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 35.6 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | FCP125 | FCP130 | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電力消費（最大） | 181W (Tc) | 278W (Tc) | 94W (Tc) | 278W (Tc) |
FCP125N65S3R0 - onsemiのFCP125N65S3R0 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FCP130N60onsemiMOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
FCP1206H103J-H2Cornell Dubilier Electronics (CDE)CAP FILM 10000PF 5% 50VDC 1206FCP11N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP130N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 28A TO220-3FCP150N65FFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
FCP13N60KERSEMIFCP125N60EFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCP165N65S3R0Fairchild SemiconductorFCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-FCP11N60F MOSFairchild (onsemi)FCP11N60N MOSFairchild (onsemi)FCP125N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 29A TO220-3FCP13N60NFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FCP125N65S3onsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO220-3FCP150N65FonsemiMOSFET N-CH 650V 24A TO220-3FCP13N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 13A TO220-3FCP11N60FonsemiMOSFET N-CH 600V 11A TO220-3FCP165N60EonsemiMOSFET N-CH 600V 23A TO220FCP11N60NonsemiMOSFET N-CH 600V 10.8A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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