RBV606の技術仕様
EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV606技術仕様、属性、パラメーター、およびEIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV606仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | EIC Semiconductor, Inc. | |
電圧 - ピーク逆(最大) | 600 V | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 3 A | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | RBV-25 | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | 4-SIP, RBV-25 |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bag | |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
ダイオードタイプ | Single Phase | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 6 A |
右側の三つのパーツはEIC SEMICONDUCTOR INC. RBV606と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | RBV606 | VUO62-08NO7 | KBP06M-E4/51 | DF005S1 |
メーカー | EIC SEMICONDUCTOR INC. | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 3 A | 1.8 V @ 150 A | 1.05 V @ 3 A | 1.1 V @ 1 A |
電圧 - ピーク逆(最大) | 600 V | 800 V | 600 V | 50 V |
装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤデバイスパッケージ | RBV-25 | PWS-D | KBPM | 4-SDIP |
パッケージ | Bag | Box | Tray | Tape & Reel (TR) |
シリーズ | - | - | - | - |
ダイオードタイプ | Single Phase | Three Phase | Single Phase | Single Phase |
電流 - 平均整流(イオ) | 6 A | 63 A | 1.5 A | 1 A |
技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 600 V | 300 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 3 µA @ 50 V |
パッケージ/ケース | 4-SIP, RBV-25 | PWS-D | 4-SIP, KBPM | 4-SMD, Gull Wing |
RBV606 - EIC SEMICONDUCTOR INC.のRBV606 PDFデータテーブルとEIC SEMICONDUCTOR INC.ドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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