RBV5010の技術仕様
EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV5010技術仕様、属性、パラメーター、およびEIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV5010仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | EIC Semiconductor, Inc. | |
電圧 - ピーク逆(最大) | 1 kV | |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 25 A | |
技術 | Standard | |
サプライヤデバイスパッケージ | RBV-25 | |
シリーズ | - | |
パッケージ/ケース | 4-SIP, RBV-25 |
製品属性 | 属性値 | |
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パッケージ | Bag | |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
ダイオードタイプ | Single Phase | |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V | |
電流 - 平均整流(イオ) | 50 A |
右側の三つのパーツはEIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5010と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | RBV5010 | MSD200-08 | GBJ2010 | MB2S-E3/45 |
メーカー | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Microsemi Corporation | SMC Diode Solutions | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
パッケージ/ケース | 4-SIP, RBV-25 | M3 | 4-ESIP | TO-269AA, 4-BESOP |
電圧 - ピーク逆(最大) | 1 kV | 800 V | 1 kV | 200 V |
装着タイプ | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount |
パッケージ | Bag | Bulk | Tube | Tube |
サプライヤデバイスパッケージ | RBV-25 | M3 | GBJ | TO-269AA (MBS) |
技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 10 µA @ 1000 V | 300 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 200 V |
シリーズ | - | - | - | - |
ダイオードタイプ | Single Phase | Three Phase | Single Phase | Single Phase |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.1 V @ 25 A | 1.55 V @ 300 A | 1.1 V @ 20 A | 1 V @ 400 mA |
電流 - 平均整流(イオ) | 50 A | 200 A | 20 A | 500 mA |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RBV5010 - EIC SEMICONDUCTOR INC.のRBV5010 PDFデータテーブルとEIC SEMICONDUCTOR INC.ドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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