ZXMN6A11DN8TCの技術仕様
Diodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TC技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TC仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 2.5A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1.8W | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330pF @ 40V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.7nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | ZXMN6 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated ZXMN6A11DN8TCと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ZXMN6A11DN8TC | ZXMN6A25DN8TA | ZXMN6A11DN8TA | ZXMN6A11G |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| シリーズ | - | - | - | - |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 60V | 60V | - |
| 電力 - 最大 | 1.8W | 1.8W | 1.8W | - |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 120mOhm @ 2.5A, 10V | 50mOhm @ 3.6A, 10V | 120mOhm @ 2.5A, 10V | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 基本製品番号 | ZXMN6 | ZXMN6 | ZXMN6 | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | 8-SO | 8-SO | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA (Min) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.7nC @ 10V | 20.4nC @ 10V | 5.7nC @ 10V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A | 3.8A | 2.5A | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 330pF @ 40V | 1063pF @ 30V | 330pF @ 40V | - |
ZXMN6A11DN8TC - Diodes IncorporatedのZXMN6A11DN8TC PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
ZXMN6A11GDiodes IncorporatedZXMN6A09KTC MOSZETEXZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOICZXMN6A25GDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223ZXMN6A09GDiodes IncorporatedZXMN6A09GTA MOSDiodes IncorporatedZXMN6A11QTAZETEXZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOICZXMN6A09GTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223ZXMN6A09KDiodes IncorporatedZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3ZXMN6A11DN8TA MOSDiodes IncorporatedZXMN6A11GTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223ZXMN6A11DN8HAMOS
ZXMN6A09KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3ZXMN6A25DN8HAMOSZXMN6A11GTA MOSDiodes IncorporatedZXMN6A25GTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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