ZXMN6A09GTAの技術仕様
Diodes Incorporated - ZXMN6A09GTA技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - ZXMN6A09GTA仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 8.2A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1407 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24.2 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.4A (Ta) | |
| 基本製品番号 | ZXMN6 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated ZXMN6A09GTAと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | ZXMN6A09GTA | ZXMN6A08KTC | ZXMN6A08GTA | ZXMN6A08GQTA |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | ZXMN6 | ZXMN6 | ZXMN6 | ZXMN6 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 電力消費（最大） | 2W (Ta) | 2.12W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.4A (Ta) | 5.36A (Ta) | 3.8A (Ta) | 3.8A (Ta) |
| シリーズ | - | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1407 pF @ 40 V | 459 pF @ 40 V | 459 pF @ 40 V | 459 pF @ 40 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223-3 | TO-252-3 | SOT-223-3 | SOT-223-3 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 24.2 nC @ 5 V | 5.8 nC @ 10 V | 5.8 nC @ 10 V | 5.8 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 40mOhm @ 8.2A, 10V | 80mOhm @ 4.8A, 10V | 80mOhm @ 4.8A, 10V | 80mOhm @ 4.8A, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ZXMN6A09GTA - Diodes IncorporatedのZXMN6A09GTA PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
ZXMN6A08KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3ZXMN6A08GTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223ZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOICZXMN6A11DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOICZXMN6A11DN8TA MOSDiodes IncorporatedZXMN6A08GQTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223ZXMN6A09DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOICZXMN6A08GTCVBSEMIZXMN6A09KDiodes IncorporatedZXMN6A09DN8Diodes IncorporatedZXMN6A09GDiodes IncorporatedZXMN6A11DN8HAMOSZXMN6A08GTA MOSDiodes IncorporatedZXMN6A08KDiodes IncorporatedZXMN6A09DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOICZXMN6A09GTA MOSDiodes IncorporatedZXMN6A09KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3ZXMN6A09KTC MOSZETEX| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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