DGD05473FNQ-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DGD05473FNQ-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DGD05473FNQ-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 電源電圧 - | 4.7V ~ 14V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN3030-10 | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q100 | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 16ns, 12ns | |
| パッケージ/ケース | 10-UFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.4V | |
| 入力タイプ | CMOS/TTL | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 50 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.5A, 2.5A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | DGD05473 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DGD05473FNQ-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DGD05473FNQ-7 | DGD21032S8-13 | DGD1503S8-13 | DGD2101S8-13 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 電源電圧 - | 4.7V ~ 14V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 50 V | 600 V | 250 V | 600 V |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q100 | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.5A, 2.5A | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA |
| 基本製品番号 | DGD05473 | DGD21032 | DGD1503 | DGD2101 |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 入力タイプ | CMOS/TTL | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 16ns, 12ns | 70ns, 35ns | 70ns, 35ns | 70ns, 35ns |
| サプライヤデバイスパッケージ | U-DFN3030-10 | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | 10-UFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.4V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Independent | Independent |
DGD05473FNQ-7 - Diodes IncorporatedのDGD05473FNQ-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DGD21032S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD1503S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2101S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2101MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5KDGD2103MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD0547FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD0507AFN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD0506AFN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD05473FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
DGD0506AM10-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOPDGD2005S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5KDGD05062FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD05463FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD0507FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD2103AS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
DGD05473FNDiodes Incorporated
DGD2003S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD0503FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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