DGD0507FN-7の技術仕様
Diodes Incorporated - DGD0507FN-7技術仕様、属性、パラメーター、およびDiodes Incorporated - DGD0507FN-7仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diodes Incorporated | |
| 電源電圧 - | 8V ~ 14V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | W-DFN3030-10 | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 23ns, 18ns | |
| パッケージ/ケース | 10-WFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TA) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.4V | |
| 入力タイプ | CMOS/TTL | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 50 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.5A, 2A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | DGD0507 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはDiodes Incorporated DGD0507FN-7と同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | DGD0507FN-7 | DGD05062FN-7 | DGD2101S8-13 | DGD05463FN-7 |
| メーカー | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電源電圧 - | 8V ~ 14V | 8V ~ 14V | 10V ~ 20V | 4.5V ~ 14V |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Synchronous | Independent | Synchronous |
| サプライヤデバイスパッケージ | W-DFN3030-10 | W-DFN3030-10 | 8-SO | W-DFN3030-10 |
| パッケージ/ケース | 10-WFDFN Exposed Pad | 10-WFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 10-WFDFN Exposed Pad |
| 基本製品番号 | DGD0507 | DGD05062 | DGD2101 | DGD05463 |
| 入力タイプ | CMOS/TTL | Non-Inverting | Non-Inverting | CMOS/TTL |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 50 V | 50 V | 600 V | 50 V |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 23ns, 18ns | 17ns, 12ns | 70ns, 35ns | 17ns, 12ns |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.4V | 0.8V, 2.4V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.4V |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1.5A, 2A | 1.5A, 2.5A | 290mA, 600mA | 1.5A, 2.5A |
DGD0507FN-7 - Diodes IncorporatedのDGD0507FN-7 PDFデータテーブルとDiodes Incorporatedドキュメントをダウンロード
DGD05062FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD2101S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
DGD05473FNDiodes IncorporatedDGD05463FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD2101MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HI/LO-SIDE 8SO 2.5K
DGD0506AM10-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10MSOPDGD2103AS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD0547FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD05473FNQ-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10
DGD2003S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2103MS8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD2005S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5KDGD0503FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD1503S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SODGD05473FN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD0507AFN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD0506AFN-7Diodes IncorporatedIC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10DGD21032S8-13Diodes IncorporatedIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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