IRLML5103GTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLML5103GTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLML5103GTRPBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
電圧 - テスト | 75pF @ 25V | |
電圧 - ブレークダウン | Micro3™/SOT-23 | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 600 mOhm @ 600mA, 10V | |
Vgs(最大) | 4.5V, 10V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
シリーズ | HEXFET® | |
RoHSステータス | Cut Tape (CT) | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 760mA (Ta) | |
偏光 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
他の名前 | IRLML5103GTRPBFCT | |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount |
製品属性 | 属性値 | |
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水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | |
メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks | |
製造元の部品番号 | IRLML5103GTRPBF | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5.1nC @ 10V | |
IGBTタイプ | ±20V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1V @ 250µA | |
FET特長 | P-Channel | |
拡張された説明 | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | |
説明 | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30V | |
静電容量比 | 540mW (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLML5103GTRPBFと同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | IRLML5103GTRPBF | IRLML2803GTRPBF | IRLML5203 | IRLML5203GTRPBF |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 14 nC @ 10 V | 2.5V @ 250µA |
RoHSステータス | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | - | Tape & Reel (TR) |
電圧 - ブレークダウン | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | - | Micro3™/SOT-23 |
製造元の部品番号 | IRLML5103GTRPBF | IRLML2803GTRPBF | - | IRLML5203GTRPBF |
シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - | - | 30 V | - |
メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks | 10 Weeks | - | 13 Weeks |
FET特長 | P-Channel | N-Channel | - | P-Channel |
電圧 - テスト | 75pF @ 25V | 85pF @ 25V | - | 510pF @ 25V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
拡張された説明 | P-Channel 30V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | - | P-Channel 30V 3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
他の名前 | IRLML5103GTRPBFCT | IRLML2803GTRPBFCT | - | IRLML5203GTRPBF-ND IRLML5203GTRPBFTR SP001567222 |
偏光 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5.1nC @ 10V | 5nC @ 10V | 510 pF @ 25 V | 14nC @ 10V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 760mA (Ta) | 1.2A (Ta) | 98mOhm @ 3A, 10V | 3A (Ta) |
同上@ VGS(TH)(最大) | 600 mOhm @ 600mA, 10V | 250 mOhm @ 910mA, 10V | 2.5V @ 250µA | 98 mOhm @ 3A, 10V |
静電容量比 | 540mW (Ta) | 540mW (Ta) | - | 1.25W (Ta) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30V | 30V | 3A (Ta) | 30V |
IGBTタイプ | ±20V | ±20V | - | ±20V |
Vgs(最大) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | ±20V | 4.5V, 10V |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - | 1 (Unlimited) |
説明 | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 | - | MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3 |
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一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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