IRLML2803GTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRLML2803GTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRLML2803GTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 電圧 - テスト | 85pF @ 25V | |
| 電圧 - ブレークダウン | Micro3™/SOT-23 | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 250 mOhm @ 910mA, 10V | |
| Vgs（最大） | 4.5V, 10V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| RoHSステータス | Cut Tape (CT) | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2A (Ta) | |
| 偏光 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 他の名前 | IRLML2803GTRPBFCT | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | |
| メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks | |
| 製造元の部品番号 | IRLML2803GTRPBF | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5nC @ 10V | |
| IGBTタイプ | ±20V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1V @ 250µA | |
| FET特長 | N-Channel | |
| 拡張された説明 | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30V | |
| 静電容量比 | 540mW (Ta) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRLML2803GTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRLML2803GTRPBF | IRLML2803TRPBF | IRLML2803TR | IRLML2803TRPBF-1 |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FET特長 | N-Channel | - | - | - |
| メーカーの標準リードタイム | 10 Weeks | - | - | - |
| 電圧 - ブレークダウン | Micro3™/SOT-23 | - | - | - |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 他の名前 | IRLML2803GTRPBFCT | - | - | - |
| 拡張された説明 | N-Channel 30V 1.2A (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 | - | - | - |
| 製造元の部品番号 | IRLML2803GTRPBF | - | - | - |
| 静電容量比 | 540mW (Ta) | - | - | - |
| 水分感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.2A (Ta) | 250mOhm @ 910mA, 10V | 250mOhm @ 910mA, 10V | 250mOhm @ 910mA, 10V |
| RoHSステータス | Cut Tape (CT) | - | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | - | 30 V | 30 V | 30 V |
| IGBTタイプ | ±20V | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 1V @ 250µA | 5 nC @ 10 V | 5 nC @ 10 V | 5 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 250 mOhm @ 910mA, 10V | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 電圧 - テスト | 85pF @ 25V | - | - | - |
| 説明 | MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3 | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5nC @ 10V | 85 pF @ 25 V | 85 pF @ 25 V | 85 pF @ 25 V |
| 偏光 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30V | 1.2A (Ta) | 1.2A (Ta) | 1.2A (Ta) |
| Vgs（最大） | 4.5V, 10V | ±20V | - | ±20V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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IRLML5103SIPUSEMIIRLML2803TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23IRLML2803TRPBF MOSIRIRLML2502PBFIRIRLML5103GPBFIRIRLML2803TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
IRLML2502TRPAMI Semiconductor/onsemiIRLML2803GPBFIRIRLML2803TRPBF-1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23IRLML2502TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23IRLML2502TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23IRLML5103GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3IRLML2502TRPBF-1IRIRLML2803SIPUSEMIIRLML2502TRPBIRIRLML2803PBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLML4202TRPBFIRIRLML2502GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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