IRL2505STRLPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRL2505STRLPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRL2505STRLPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 54A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5000 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 104A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRL2505 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRL2505STRLPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRL2505STRLPBF | IRL2505PBF | IRL2505L | IRL2703STRL |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | TO-220AB | TO-262 | D2PAK |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 55 V | 55 V | 55 V | 30 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 104A (Tc) | 104A (Tc) | 104A (Tc) | 24A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5000 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 8mOhm @ 54A, 10V | 8mOhm @ 54A, 10V | 8mOhm @ 54A, 10V | 40mOhm @ 14A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 45W (Tc) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 基本製品番号 | IRL2505 | IRL2505 | - | - |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 130 nC @ 5 V | 130 nC @ 5 V | 130 nC @ 5 V | 15 nC @ 4.5 V |
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IRL2203S L2203SIRIRL2905LIRIRL2203NSTRPBFIRIRL2703IR/VISHAYIRL2505PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 104A TO220ABIRL2505LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 104A TO262IRL2703STRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A D2PAKIRL2703PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A TO220ABIRL2910IRIRL2505SPBFInternational Rectifier104A, 55V, 0.01OHM, N-CHANNEL MOIRL2910LPBFIRIRL2910PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 55A TO220ABIRL2505Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRL2505SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 104A D2PAKIRL2203NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 116A D2PAKIRL2703SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRL2203STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 100A D2PAKIRL2703SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A D2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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