IRL2203NSTRLPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRL2203NSTRLPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±16V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7mOhm @ 60A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 180W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3290 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 116A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRL2203NSTRLPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRL2203NSTRLPBF | IRL2203NLPBF | IRL2505PBF | IRL2203STRR |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7mOhm @ 60A, 10V | 7mOhm @ 60A, 10V | 8mOhm @ 54A, 10V | 7mOhm @ 60A, 10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4V, 10V | 4V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 116A (Tc) | 116A (Tc) | 104A (Tc) | 100A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±16V | ±16V | ±16V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 30 V | 55 V | 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 4.5 V | 60 nC @ 4.5 V | 130 nC @ 5 V | 110 nC @ 4.5 V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 180W (Tc) | 3.8W (Ta), 180W (Tc) | 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 130W (Tc) |
| サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK | TO-262 | TO-220AB | D²PAK (TO-263) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3290 pF @ 25 V | 3290 pF @ 25 V | 5000 pF @ 25 V | 3500 pF @ 25 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
IRL2203NSTRLPBF - Infineon TechnologiesのIRL2203NSTRLPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRL2203NS MOSIRIRL2203NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 116A TO262IRL2505PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 104A TO220ABIRL2203NSTRPBFIRIRL2203NSIRIRL2203NSTRLIRIRL2203STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 100A D2PAKIRL2505SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 104A D2PAKIRL2203NSTRL MOSIRIRL2505Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRL2505SPBFInternational Rectifier104A, 55V, 0.01OHM, N-CHANNEL MOIRL2203NSPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 116A D2PAKIRL2203NLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 116A TO262IRL2203NPBF-PIRIRL2203NPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRL2505STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 104A D2PAKIRL2203NPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRL2505LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 104A TO262| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。