IRFP4229PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFP4229PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFP4229PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 46mOhm @ 26A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4560 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 44A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFP4229 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFP4229PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP4229PBF | IRFP4232PBF | IRFP4310ZPBF | IRFP4137PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 110 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 125 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 250 V | 250 V | 100 V | 300 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | 430W (Tc) | 280W (Tc) | 341W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 44A (Tc) | 60A (Tc) | 120A (Tc) | 38A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4560 pF @ 25 V | 7290 pF @ 25 V | 6860 pF @ 50 V | 5168 pF @ 50 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 150µA | 5V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Tube | Bag | Tube | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 46mOhm @ 26A, 10V | 35.7mOhm @ 42A, 10V | 6mOhm @ 75A, 10V | 69mOhm @ 24A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | IRFP4229 | - | IRFP4310 | IRFP4137 |
IRFP4229PBF - Infineon TechnologiesのIRFP4229PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFP4232PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 60A TO247ACIRFP4310ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
IRFP4137IRIRFP4242PBF MOSIRIRFP4137PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 38A TO247ACIRFP4242PBFIR/MEXICOIRFP4228PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 78A TO247ACIRFP4110PBF-CNIRIRFP4227IRIRFP4310PBFIRIRFP4232IRIRFP4127IR
IRFP4229NPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP4110PBF-MXIRIRFP4229IRIRFP4227PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 65A TO247ACIRFP4321PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 78A TO247ACIRFP4242IR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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