IRFP4228PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFP4228PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFP4228PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15.5mOhm @ 33A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Bag |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4530 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 107 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 78A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFP4228PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFP4228PBF | IRFP4227PBF | IRFP4229PBF | IRFP4232PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 78A (Tc) | 65A (Tc) | 44A (Tc) | 60A (Tc) |
| パッケージ | Bag | Tube | Tube | Bag |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 15.5mOhm @ 33A, 10V | 25mOhm @ 46A, 10V | 46mOhm @ 26A, 10V | 35.7mOhm @ 42A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4530 pF @ 25 V | 4600 pF @ 25 V | 4560 pF @ 25 V | 7290 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 200 V | 250 V | 250 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 107 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V |
| 運転温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 310W (Tc) | 330W (Tc) | 310W (Tc) | 430W (Tc) |
IRFP4228PBF - Infineon TechnologiesのIRFP4228PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFP4229IRIRFP4227PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 65A TO247ACIRFP4137IRIRFP4232IRIRFP4229PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 44A TO247ACIRFP4110PBF-MXIRIRFP4127IRIRFP4232PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 60A TO247ACIRFP4242IRIRFP4110PBF-CNIRIRFP4242PBFIR/MEXICO
IRFP4310InfineonIRFP4110PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO247ACIRFP4229NPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP4227IRIRFP4242PBF MOSIRIRFP4127PBFIRFP4137PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 38A TO247AC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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