IRFH7936TRPBFの技術仕様
International Rectifier - IRFH7936TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRFH7936TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 50µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.8mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2360 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta), 54A (Tc) |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRFH7936TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH7936TRPBF | IRFH8201TRPBF | IRFH7934TRPBF | IRFH7932TRPBF |
| メーカー | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | 3.1W (Ta) | 3.4W (Ta) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 26 nC @ 4.5 V | 111 nC @ 10 V | 30 nC @ 4.5 V | 51 nC @ 4.5 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 150µA | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 100µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 25 V | 30 V | 30 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2360 pF @ 15 V | 7330 pF @ 13 V | 3100 pF @ 15 V | 4270 pF @ 15 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET® | HEXFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.8mOhm @ 20A, 10V | 0.95mOhm @ 50A, 10V | 3.5mOhm @ 24A, 10V | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) Single Die |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20A (Ta), 54A (Tc) | 49A (Ta), 100A (Tc) | 24A (Ta), 76A (Tc) | 24A (Ta), 104A (Tc) |
IRFH7932PBFIRIRFH7932IRIRFH8201TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFNIRFH8303PBFIRIRFH7934TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFNIRFH7932TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A/104A PQFNIRFH7932TRPBF MOSIRIRFH8202TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 47A/100A 8PQFNIRFH7928IRIRFH7932MIRIRFH7936PBFIRIRFH7936MIRIRFH8311IRIRFH7934IRIRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFNIRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFNIRFH8201PBFIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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